Шотки-ТТЛ (ТТЛШ)

При создании одновременно быстрых и экономичных микросхем используется свойство транзисторов быстро переключаться в ненасыщенном состоянии (см. Бойт/Шмуш, Электроника, ч. 3). При подключении диода по рис. 6.73 предотвращается насыщение транзистора. Диод должен иметь высокое быстродействие. Поэтому применяют диоды Шотки (см. Бойт, Электроника, ч. 2). Диоды Шотки отличаются высоким быстродействием и пороговым напряжением 0,35 В.
Транзистор на рис. 6.73 может проводить только до тех пор, пока UCE не упадет до 0,4 В. Затем диод Шотки предотвращает дальнейшее нахождение транзистора в открытом состоянии. Он сам проводит в прямом направлении. От базы ток течет через диод и переход коллектор-эмиттер к земле. Этот ток уже не течет через базу транзистора и не служит для его управления.
Начало насыщения транзистора начинается тогда, когда UCE падает до значения UBE, т. е. при UCE = 0,4 В транзистор уже находится в насыщении, но не в глубоком.
Диод Шотки на рис. 6.73 называется «антинасыщающий диод». Транзистор с диодом Шотки называется транзистором Шотки. Его условное обозначение показано на рис. 6.74. Диод при этом подразумевается по умолчанию, и его можно не обозначать на схеме.
Принципиальная схема типичного элемента ТТЛШ изображена на рис. 6.75. Это элемент И-НЕ в положительной логике.

Среднее время задержки tp составляет от 2,5 до 3 не, или примерно вдвое меньше, чем для элементов подсемейства высокоскоростных ТТЛ.
Так как транзисторы Шотки проводят слабо, выходной уровень L у них выше, чем у стандартных ТТЛ-элементов. Вследствие этого разрыв между уровнями L и Н меньше, что означает ухудшение статической помехоустойчивости.
Логические элементы подсемейства ТТЛШ характеризуются очень высоким быстродействием, плохой помехоустойчивостью и высоким энергопотреблением.
Элемент И-НЕ (рис. 6.75) потребляет мощность 20 мВт — вдвое больше, чем элемент И-НЕ подсемейства стандартных ТТЛ.

Рис. 6.75. Элемент ТТЛШ 74 S 00 (Texas Instruments)

Похожие статьи