Электростанции

Навигация
-
Меню сайта
- Организация эксплуатации
- Электрические схемы
- Турбогенераторы
- Трансформаторы и автотрансформаторы
- Распределительные устройства
- Электродвигатели
- Автоматика
- Тепловая изоляция
- Регулирование энергоблоков
- Тяговые подстанции
- Выпрямители и зарядные устройства
- Проектирование электрических сетей и систем
- Электрооборудование электротермических установок
- Электрооборудование земснарядов
- Цифровая электроника
Логические элементы на МОП-транзисторах
Семейство логических элементов на МОП-транзисторах состоит из полевых МОП-транзисторов. Полевые МОП-транзисторы почти не нуждаются в токе управления. Они имеют малые габариты и относительно просты в изготовлении. Возможно производство в виде интегральных микросхем с высокой плотностью. К недостаткам МОП-транзисторов относится большое время переключения из-за больших входных емкостей транзистора (затвор-исток).
Опасность статического электричества
Полевые МОП-транзисторы восприимчивы к статическим разрядам (см.
Бойт, Электроника ч. 2, разд. 8.2). Опасность выхода из строя по
причине разряда статического электричества существует вообще для всех
интегральных микросхем.
При работе с МОП-микросхемами нужно принимать особенные меры предосторожности против статических разрядов.
К мерам предосторожности относится электропроводящее напольное покрытие
в помещениях, где работают с микросхемами. Каждый рабочий стол должен
быть оборудован заземленной пластиной. Персонал не должен носить одежду
из синтетики, например нейлона. Целесообразно носить электрически
проводящую, заземленную через гибкий провод манжету.
Следующим опасным звеном является пайка. Переходное сопротивление
паяльника между жалом и нагревательным элементом составляет примерно
100 кОм. Это сопротивление кажется достаточно большим, однако оно очень
мало по сравнению с сопротивлениями между управляющим электродом и
подложкой полевого МОП-транзистора. В паяльнике может накапливаться
заряд, которые способен повредить МОП-микросхему.
Для монтажа и демонтажа МОП-микросхем следует использовать особенные безопасные паяльники и паяльные ванны.
МОП-микросхемы, которые подверглись воздействию высоких напряжений, но
продолжают на первый взгляд нормально работать, с большой вероятностью
имеют внутренние повреждения. Такой вид повреждений называют
«стресс полупроводника». Вследствие такого стресса
снижается срок службы полупроводниковых элементов и повышается
интенсивность отказов. Что произойдет при стрессе полупроводника внутри
кристалла микросхемы — предсказать невозможно.
Похожие статьи