Организация питания полупроводниковых устройств защиты от БПТ

Организация питания полупроводниковых устройств защиты от БПТ связана с необходимостью высокой степени сглаживания напряжения, что не позволяет ограничиться хорошей стабилизацией только выходного напряжения БПТ. Обязательной является установка СН постоянного тока. Кроме того, как будет показано в гл. 2, для питания полупроводниковых устройств релейной защиты и автоматики, как правило, необходимо комбинированное применение БПТ и блоков напряжения, и поэтому стабилизировать нужно результирующее напряжение комбинированного блока питания.
Все это позволяет сделать вывод, что наиболее приемлемым для выполнения БПТ является параметрический СН на базе НТТ. Такой вывод основан также на опыте применения НТТ в качестве источников переменного оперативного тока для токовых защит. Длительное время серийно выпускались для этой цели НТТ типа ТКБ-1. Ряд энергосистем использовал разработанные ими НТТ других типов. Серьезные недостатки НТТ, как источника переменного оперативного тока, начали выявляться при росте мощности энергосистем, когда резко возросли токи к.з. Были отмечены многочисленные случаи пробоя изоляции НТТ и питающих их ТТ. Невозможность использования НТТ в качестве СН без введения каких-либо дополнительных элементов стала очевидной при разработке выпрямительных блоков питания. Тем не менее НТТ в качестве источника оперативного тока и сейчас находят применение. В отечественных сетях они используются для ограничения тока в схемах с де шунтированием электромагнитов отключения [2]. В этом случае вторичная обмотка НТТ всегда замкнута на нагрузку, что резко снижает уровень перенапряжений. В зарубежной практике НТТ все еще применяются в качестве источника переменного тока в сетях с низким уровнем токов к. з.
Применение НТТ, а также всех других рассмотренных СН в выпрямительных БПТ возможно только в сочетании с ФНЧ. Если рассмотреть систему, состоящую из НТТ и ФНЧ (см. рис. 7,6), то легко убедиться, что в ней имеется колебательный контур, образованный нелинейной индуктивностью НТТ, дросселем L и конденсатором С ФНЧ. Так как ФНЧ не должен вносить существенных потерь напряжения в режиме полной нагрузки на БПТ, то индуктивное сопротивление дросселя на промышленной частоте должно быть мало, а емкостное сопротивление конденсатора С велико. Это означает, что результирующее сопротивление последовательно включенных дросселя L и конденсатора С на промышленной частоте имеет емкостный характер, и, следовательно, система НТТ — ФНЧ является параллельным феррорезонансным контуром, в котором роль емкостного звена играют последовательно включенные L и С, а нелинейного индуктивного звена — НТТ. Система НТТ — ФНЧ является в настоящее время основой серийно выпускаемых БПТ.